| 发明名称 | 一种防止DGS的像素电极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种防止DGS的像素电极结构，包括：栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层、源漏电极、数据线及像素电极，其特征在于：在漏电极与数据线连接处下方的半导体层上有一孔道，该孔道中漏电极或数据线直接与栅绝缘层相连。本发明同时还提供了一种防止DGS的像素电极结构的制造方法，其主要是在基板上沉积栅绝缘薄膜，半导体薄膜，通过掩膜和刻蚀形成硅岛时，在后续步骤形成数据线与漏电极连接处的附近位置的半导体层上形成一孔道。通过本发明的改良结构和采用制造该改良结构的工艺，能够有效减少DGS的发生几率，能够增大工艺自由度，减少工艺缺陷，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN100433337C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200610082969.3 | 申请日期 | 2006.06.23 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 陈旭 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/133(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1、一种防止DGS的像素电极结构，包括：栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层、源漏电极、数据线及像素电极，其特征在于：在漏电极与数据线连接处下方的半导体层上有一孔道，孔道中漏电极或数据线直接与栅绝缘层相连。 | ||
| 地址 | 100176北京经济技术开发区西环中路8号 | ||