发明名称 具平坦接触区的太阳能电池及其制程
摘要 一种具平坦接触区的太阳能电池制程,其是在太阳能基板表面布置遮幕,并定义布置该遮幕的表面局部为接触区且定义布置该遮幕的表面局部以外区域为裸露区;接着蚀刻该裸露区而使得该太阳能基板表面的裸露区粗糙化后,将太阳能基板表面遮幕移除;最后则是在该太阳能基板表面的接触区布置上一导电层。因此使得该太阳能基板具有一P型半导体层、一N型半导体层以及一导电层,且其中该N型半导体层形成于该P型半导体层上方,该裸露区为一粗糙表面,该接触区为平坦的表面,以及该导电层布置于该接触区。
申请公布号 CN101304057A 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200710106816.2 申请日期 2007.05.10
申请人 科冠能源科技股份有限公司 发明人 向国成;陈彦彰;赖一凡;王君芳
分类号 H01L31/18(2006.01);H01L31/042(2006.01);H01L31/0236(2006.01) 主分类号 H01L31/18(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1、一种具平坦接触区的太阳能电池制程,其步骤包括:太阳能基板表面遮幕布置,其是在一太阳能基板表面区部布置一遮幕,且定义布置该遮幕的表面局部为接触区,定义布置该遮幕的表面局部以外区域为裸露区,其中该遮幕足以抵抗一溶液侵蚀该太阳能基板表面的接触区;裸露区蚀刻,其是将表面布置该遮幕的该太阳能基板浸泡于前述步骤的溶液中,该溶液以具选择性的方向性蚀刻作用蚀刻该太阳能基板表面的裸露区,使得该太阳能基板表面的裸露区粗糙化;太阳能基板表面遮幕移除,其是移除该太阳能基板表面的遮幕;以及太阳能基板表面导电层布置,其是在该太阳能基板表面的接触区布置上一导电层。
地址 台湾省苗栗县