发明名称 |
开关单元和开关单元阵列 |
摘要 |
本发明提供开关单元和开关单元阵列。至少一个可编程通路孔结构,该结构包括至少两个直接接触加热元件的相变材料通路孔,可编程通路孔结构还包括与所述加热元件的第一部分接触的第一端子,与加热元件的第二部分接触的第二端子,与至少两个可编程通路孔之一接触的第三端子,以及与至少两个可编程通路孔的另一个接触的第四端子;第一电路块,与第三和第四端子之一接触;第二电路块,与没有接触第一电路块的第三或第四端子接触;第一场效应晶体管的源区,与第一和第二端子之一接触;以及第二场效应晶体管的漏区,与没有接触第一场效应晶体管的源区的第一或第二端子接触。本发明还提供操作该至少一个可编程通路孔结构的方法。 |
申请公布号 |
CN101304040A |
申请公布日期 |
2008.11.12 |
申请号 |
CN200810091371.X |
申请日期 |
2008.05.08 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
陈冠能;林钟汉 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01);H03K17/687(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
1、一种开关单元,包括:可编程通路孔结构,包括直接与加热元件接触的至少两个相变材料通路孔,所述可编程通路孔结构还包括与所述加热元件的第一部分接触的第一端子、与所述加热元件的第二部分接触的第二端子、与所述至少两个可编程通路孔之一接触的第三端子、以及与所述至少两个可编程通路孔的另一个接触的第四端子;第一电路块,与所述第三和第四端子之一接触;第二电路块,与没有接触所述第一电路块的所述第三或第四端子接触;第一场效应晶体管的源区,与所述第一和第二端子之一接触;以及第二场效应晶体管的漏区,与没有接触所述第一场效应晶体管的所述源区的所述第一或第二端子接触。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |