| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在将氧引入作为N<SUP>－</SUP>型第一半导体层的N<SUP>－</SUP>型FZ晶片(10)后，P型第二半导体层(2)和阳极(4)在该FZ晶片(10)的表面上形成。该FZ晶片(10)从该阳极(4)一侧进行质子辐照，从而将晶格缺陷(12)引入该FZ晶片(10)。通过执行热处理恢复在该FZ晶片(10)中的晶格缺陷(12)，使在第一半导体层中一部分的净掺杂浓度比FZ晶片(10)的初始净掺杂浓度高，且形成所期望的宽缓冲结构。用这种方法，可以使用FZ体晶片便宜地制造具有快速运行和低的损耗，且具有软开关特性的半导体器件，且具有好的可控性和产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101305470A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200680042224.2 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 富士电机电子技术株式会社 | 发明人 | 根本道生 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其中在第一传导类型的第一半导体层的第一主面一侧，形成具有比所述第一半导体层的浓度高的第二传导类型的第二半导体层，且其中在所述第一半导体层的第二主面一侧，形成具有比所述第一半导体层的浓度高的第一传导类型的第三半导体层，其特征在于在所述第一半导体层中至少存在一个杂质浓度在所述第一半导体层中是最大值的位置，且所述第一半导体层中的杂质浓度从最大杂质浓度的位置向所述第二半导体层和所述第三半导体层减小，以及至少所述第一半导体层中的最大杂质浓度的位置包括氧原子和比氧轻的原子。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||