发明名称 | 发光二极管的制作方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发光二极管的制作方法,包括下步骤:采用具有六方晶格的外延衬底;在外延衬底表面生长发光层;采用导电支撑衬底;将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合;除去外延衬底。本发明的优点在于,采用具有六方晶像的外延衬底生长发光层,可以保证发光层的晶体质量;采用同导电支撑衬底键合并剥离外延衬底的方法,解决了外延衬底不导电、无法制作垂直结构的技术问题。 | ||
申请公布号 | CN101304063A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
申请号 | CN200810040172.6 | 申请日期 | 2008.07.03 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈静;孙佳胤;王曦 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人 | 黄志达;宋缨 |
主权项 | 1.一种发光二极管的制作方法,包括下列步骤:(1)采用具有六方晶格的外延衬底,用金属有机物化学气相淀积的方法,在外延衬底表面生长发光层;(2)采用掺杂的单晶硅衬底作为导电支撑衬底,将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合;(3)除去外延衬底。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |