| 发明名称 | 电荷注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在相当高的临界电压(VT)改变值(delta VT)下编程一内存阵列(68)的双位存储单元(10，82，84，86，88)的第一位(C0，C2，C4，C6)及第二位(C1，C3，C5，C7)的系统及方法。该相当高的VT保证：在相当长的一段时间中经过较高的温度应力及(或)客户操作之后，该内存阵列(68)仍能一贯地保持所编程的资料并能擦除资料。在大致较高的VT改变值下，对存储单元(10，82，84，86，88)的第一位(C0，C2，C4，C6)的编程会使对第二位(C1，C3，C5，C7)的编程因较短的信道(8)长度而变得较不易改变且较快速。因此，本发明在编程第一位(C0，C2，C4，C6)及第二位(C1，C3，C5，C7)期间，采用了经过选择的栅极及漏极电压、以及编程脉冲宽度，此种方式保证了受到控制的第一位VT，并减缓了对第二位(C1，C3，C5，C7)的编程。此外，该等经过选择的编程参数可在不使电荷耗损变差的情形下保持较短的编程时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100433193C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN02827250.1 | 申请日期 | 2002.12.17 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | D·汉密尔顿;T·瑟格特;J·S·Y·王;M·K·韩;N·德拉科比安 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种用来编程在双位模式中工作的ONO双位存储单元(10，82，84，86，88)中的位的方法，该方法包含下列步骤：将编程脉冲施加到该双位存储单元(10，82，84，86，88)的至少一个位，其方式为将电压施加到该至少一个位的漏极，且同时将电压施加到该至少一个位的栅极；确认该至少一个位的临界电压改变是在2.0伏至2.5伏的范围内；以及重复施加编程脉冲的步骤，直到该至少一个位的该临界电压改变是在2.0伏至2.5伏的范围内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||