用于制造非易失性存储器单元阵列的方法

摘要

本发明提供一种制造堆叠的非易失性存储器单元的方法。提供一个具有多个形成掩埋位线的扩散区的半导体晶片。在半导体晶片的表面上沉积一个电荷捕获层和一个导电层。利用在导电层之上的一个掩膜层，形成接触孔，其中形成绝缘层。在半导体晶片的表面上沉积一个蚀刻停止层。在蚀刻停止层之上，沉积一个介质层，并对介质层构图以便形成接触孔。接着，扩大这些接触孔使其经过蚀刻停止层和绝缘层到达掩埋位线。

主权项

1.一种用于制造非易失性存储器单元的方法，该方法包括：提供具有半导体衬底的半导体晶片；在所述半导体晶片表面上沉积一个结构化的电荷捕获层；在所述结构化的电荷捕获层上沉积多条栅极线；在所述多条栅极线的侧壁上沉积一个绝缘衬垫；形成多条掩埋位线，其中每一条所述掩埋位线嵌入所述半导体衬底中；在所述多条栅极线和所述结构化的电荷捕获层之间的区域中沉积一个绝缘层；在所述绝缘层上沉积一个蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积一个介质层；蚀刻所述介质层，从而形成从所述介质层表面延伸到所述蚀刻停止层表面的接触孔；蚀刻所述蚀刻停止层，以使得所述接触孔从所述介质层表面延伸到所述绝缘层表面；蚀刻所述绝缘层，以使得所述接触孔从所述介质层表面延伸到所述掩埋位线的表面；以及用导电塞材料填充所述接触孔来形成一个接触塞。