| 发明名称 | 互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体图像传感器(COMS imagesensor)的制造方法。该方法包括如下步骤：形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导型沟道晶体管区域；和通过使用第一传导型杂质离子，实施用于形成第二传导型沟道停止区域的离子注入工艺，以形成第一传导型杂质区域，所述第一传导型杂质区域延伸至所述光电二极管区域和所述原有第二传导型沟道晶体管区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100433290C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200410008533.0 | 申请日期 | 2004.03.11 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 李源镐 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1、一种互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：形成第一传导型的基片，其具有光电二极管区域和原有第二传导型沟道晶体管区域；和通过使用第一传导型杂质离子，实施用于形成第二传导型沟道停止区域的离子注入工艺，以形成第一传导型杂质区域，所述第一传导型杂质区域延伸至所述光电二极管区域和所述原有第二传导型沟道晶体管区域。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||