| 发明名称 | 使用氯制造集成电路内的沟渠介电层 | ||
| 摘要 | 于基底隔离沟渠(134)的蚀刻前，形成掺入氯的垫氧化层(110)于硅基底(120)上。当第一氧化硅衬层(150.1)以热工艺形成于该沟渠表面上时，该氯可以增加沟渠顶端角落的圆角化(140C)。掺有氯的第二氧化硅衬层(150.2)以化学气相沉积方式沉积于第一衬层(150.1)上，接着，第三衬层(150.3)以热工艺成长形成。控制第二衬层(150.2)的氯浓度与三衬层(150.1、150.2、150.3)的厚度，以改善角落的圆角化程度，而不至于过度损耗主动区域(140)。 | ||
| 申请公布号 | CN100433291C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200610074542.9 | 申请日期 | 2006.04.27 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司(新加坡子公司) | 发明人 | 钟·董;泰鹏·李 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛平 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路的方法，其特征是该方法包含：(a)形成第一氧化硅层于硅基底上，该第一氧化硅层包含3原子百分比以上的氯；(b)移除该第一氧化硅层的第一部分以及该硅基底的底层部分，以于该硅基底形成沟渠；以及(c)形成第一介电层于该沟渠内，其中形成该第一介电层包含氧化该硅基底，以形成第二氧化硅层于该沟渠的表面上，而该第一氧化硅层的第二部分覆盖邻近该沟渠的该基底，其中形成该第一介电层的步骤还包含形成混合氯的氧化硅层覆盖在该第二氧化硅层上，并且未填满该沟渠。 | ||
| 地址 | 新加坡ODC中心同华路30号 | ||