发明名称 | 高效太阳能电池及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种高效太阳能电池。更具体地,提供了一种包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层的太阳能电池及其制备方法。 | ||
申请公布号 | CN101305472A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
申请号 | CN200680041503.7 | 申请日期 | 2006.10.30 |
申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 朴铉定 |
分类号 | H01L31/042(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱梅;徐志明 |
主权项 | 1、一种太阳能电池,该太阳能电池包括第一导电型半导体基板、在第一导电型半导体基板上形成且具有与该基板导电型相反导电型的第二导电型半导体层、在其间界面上的p-n结、与第一导电型半导体基板的至少一部分接触的后电极、与第二导电型半导体层的至少一部分接触的前电极及在第一导电型半导体基板的后表面和/或第二导电型半导体层的前表面上顺序形成的氮氧化硅钝化层和氮化硅减反射层。 | ||
地址 | 韩国首尔 |