半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，即使使用耐热温度低的衬底也高成品率地制造具有结晶半导体层的半导体装置。通过在半导体衬底的一部分中形成槽，形成具有凸部的半导体衬底，而且覆盖该凸部地形成接合层。另外，在形成接合层之前，通过对成为凸部的半导体衬底照射加速了的离子，形成脆弱层。将接合层和支撑衬底接合，然后进行分离半导体衬底的热处理，以在支撑衬底上提供半导体层。通过选择性地蚀刻该半导体层，形成半导体元件，以制造半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的一部分中形成槽；通过对所述半导体衬底的一个表面照射一种原子或多种原子的其质量不相同的离子，在离所述半导体衬底的一个表面的深度接近于所述离子的平均进入深度的区域形成具有多孔结构的脆弱区域；在所述半导体衬底的一个表面上形成氧化硅层；中间夹着所述氧化硅层将所述半导体衬底的一个表面和具有绝缘表面的衬底重叠，并且接合所述氧化硅层和所述具有绝缘表面的衬底，然后通过进行加热处理，在所述脆弱区域中产生裂缝，在所述脆弱区域中分离所述半导体衬底，并且在所述具有绝缘表面的衬底上形成半导体层；以及通过使用所述半导体层形成半导体元件。