| 发明名称 | 刻蚀后残留聚合物的去除方法及刻蚀结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀后残留聚合物的去除方法，包括步骤：提供刻蚀后的衬底；利用含氢的气体对所述衬底进行第一等离子体处理；利用含氧的气体对所述衬底进行第二等离子体处理。本发明的聚合物去除方法在避免刻蚀结构的孔径变大的前提下，改善了刻蚀后残留聚合物的去除效果。本发明还公开了一种刻蚀结构的形成方法，其通过两次等离子体处理，形成了质量较好的刻蚀结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101303966A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200710040596.8 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘乒;马擎天;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种刻蚀后残留聚合物的去除方法，其特征在于，包括步骤：提供刻蚀后的衬底；利用含氢的气体对所述衬底进行第一等离子体处理；利用含氧的气体对所述衬底进行第二等离子体处理。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||