| 发明名称 | 栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有多晶硅层；在所述多晶硅层上形成金属层；加热所述金属层至第一温度；提供表面具有凹槽的模具，将所述模具具有凹槽的表面与所述金属层表面接触，并在所述模具上施加压力，在所述金属层中压印出凸起；冷却所述金属层至第二温度；移除所述模具；去除所述凸起之间的凹陷底部的金属层材料；刻蚀未被所述金属层覆盖的多晶硅层，形成栅极。本发明工艺较为简单，成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN101303974A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200710040628.4 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;陈海华;黄怡 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有多晶硅层；在所述多晶硅层上形成金属层；加热所述金属层至第一温度；提供表面具有凹槽的模具，将所述模具具有凹槽的表面与所述金属层表面接触，并在所述模具上施加压力，在所述金属层中压印出凸起；冷却所述金属层至第二温度；移除所述模具；去除所述凸起之间的凹陷底部的金属层材料；刻蚀未被所述金属层覆盖的多晶硅层，形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||