| 发明名称 | 氮化镓薄膜外延生长结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明是氮化镓薄膜外延生长结构及方法，结构是SOI衬底上是AlN成核层，成核层上是低V/III比GaN缓冲层，低V低V/III比/III比缓冲层上是GaN单晶薄膜。方法是选择SOI衬底，装入MOCVD反应室；烘烤；降温并通入三甲基铝，生长AlN成核层；关闭三甲基铝，降温并通入氨气，生长GaN缓冲层；升温并通入氨气和三甲基镓，生长GaN单晶薄膜；降至室温。优点：低V/III比GaN缓冲层通过延长GaN薄膜由三维生长转变为准二维生长时间使晶粒充分长大，降低晶粒密度，释放失配应力，提高GaN薄膜晶体质量。利用低V/III比GaN缓冲层减小SOI基GaN单晶薄膜失配应力、降低位错密度、提高晶体高质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101302648A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200810018838.8 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 李忠辉;陈辰;董逊 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B25/18(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 1、氮化镓薄膜外延生长结构，其特征是在SOI衬底上是成核层；成核层上是低V/III比GaN缓冲层；GaN缓冲层上是GaN单晶薄膜。 | ||
| 地址 | 210016江苏省南京市中山东路524号 | ||