| 发明名称 | 一种用常压化学气相沉积法制备Ti<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种用常压化学气相沉积法制备Ti<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>薄膜的方法。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH<SUB>4</SUB>和TiCl<SUB>4</SUB>为反应物原料，以N<SUB>2</SUB>为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上形成Ti<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>薄膜。本发明对设备要求低、产量大、效率高，可得到不同形貌和性能的Ti<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101302609A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200810046741.8 | 申请日期 | 2008.01.21 |
| 申请人 | 南昌大学 | 发明人 | 杜军;郑典模;肖鉴谋;张小林 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B29/10(2006.01) | 主分类号 | C23C16/42(2006.01) |
| 代理机构 | 南昌洪达专利事务所 | 代理人 | 刘凌峰 |
| 主权项 | 1、一种用常压化学气相沉积法制备Ti5Si3薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1)反应物原料为SiH4和TiCl4，以N2为稀释气体和保护气氛；2)TiCl4恒温至30～60℃；TiCl4所经过的管路保温至40～70℃；3)通过气体发生器，用N2来携带TiCl4；4)SiH4、TiCl4和N2在混气室混合；各路气体在混气室入口处的压力相等，压力保持在111325～131325Pa之间；5)总反应气体中各种物质的摩尔浓度：a)SiH4：0.2～2％；b)TiCl4：0.4～2％；6)反应气体中SiH4/TiCl4摩尔比：0.5～1；7)沉积系统压力为101325～121325Pa；8)玻璃基板温度为650～750℃，混合气体输送到玻璃基板上进行反应，生成Ti5Si3薄膜，薄膜的生长速率为10～30纳米/秒，沉积时间为10～60秒；9)废气经过吸收处理后排放。 | ||
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||