发明名称 包括红外热电堆探测器的监测系统
摘要 本发明涉及一种半导体工艺系统,其基于感兴趣的材料对特征波长的红外光的吸收,通过对所述材料进行分析,来利用基于红外的热电堆探测器进行工艺控制。具体地,红外光束通过线性传输路径进行透射,所述线性传输路径从红外光源经过包含感兴趣的材料的采样区域进入热电堆探测器。线性传输路径降低了红外光传输期间的信号损失的危险。红外光的传输路径可包括高度光滑且反射的内表面,用于使得传输期间的该信号损失最小化。
申请公布号 CN100433267C 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200480031229.6 申请日期 2004.09.10
申请人 高级技术材料公司 发明人 乔斯·I·阿尔诺
分类号 H01L21/302(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/302(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 孙志湧;陆锦华
主权项 1.一种适用于在其内对材料进行处理的半导体工艺系统,所述系统包括:材料的采样区域;红外辐射源,其被构造和设置为穿过采样区域透射红外辐射;热电堆探测器,其被构造和设置为在红外辐射传输穿过采样区域之后接收红外辐射,并且响应性地产生与所述材料相关的输出信号;以及工艺控制装置,其被设置为接收热电堆探测器的输出信号,并且响应性地控制半导体工艺系统中的一个或多个工艺条件、或对半导体工艺系统产生影响的一个或多个工艺条件,其中所述红外辐射沿着线性的传输路径透射,并且其中所述红外辐射源和所述热电堆探测器沿着所述红外辐射的传输路径对准。
地址 美国康涅狄格州