| 发明名称 | 可控制电源线与/或接地线的电位电平的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 通过将电平控制信号(/CS[0]、/CS[1])共同设于H电平并将电源线(VM[0]、VM[1])的电位共同设为低于电源电位(VDD)，能够大幅度减少存储单元阵列(110A)的等待时和写入动作时的栅漏电流。并且，通过将电平控制信号(/CS[0]、/CS[1])分别设定于L电平、H电平并只将电源线(VM[1])的电位设为低于电源电位(VDD)，能够减少存储单元阵列(110A)读出动作时的电力消耗。 | ||
| 申请公布号 | CN100433190C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200410004801.1 | 申请日期 | 2004.02.05 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 新居浩二 |
| 分类号 | G11C11/41(2006.01);G11C11/413(2006.01) | 主分类号 | G11C11/41(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其中：设有行列状配置的多个存储单元，以及对应于所述多个存储单元的各单元个别配置的多条写入字线；所述多个存储单元的各单元包含，保持数据的数据存储部，对所述数据存储部写入数据的数据写入部，以及设有从所述数据存储部读出数据的读出位线的数据读出部；所述数据存储部设有，根据每列设定的电平控制信号在电源电位或低于电源电位的预定的电位电平上工作的第一倒相器电路，以及在所述预定的电位电平上工作的第二倒相器电路。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||