一种双重图形曝光工艺

摘要

本发明公开了一种双重图形曝光工艺，涉及集成电路工艺技术领域。该工艺使用一种可溶于显影液的填充材料，采用多次涂布和烘烤来实现沟槽的填充，并且依靠多次显影工艺移除表面多余的填充材料。与现有技术相比，本发明提供的利用可显影填充材料的双重图形曝光工艺，提高了光刻胶涂布后硅片的平坦度，减轻了沟槽填充步骤对后续光刻工艺中套刻精度和焦深等带来的不良影响。

主权项

1.一种双重图形曝光工艺，用于在晶圆上印制更加密集的图形，其特征在于，所述双重图形曝光工艺包括：在硬掩膜材料表面第一次涂布光刻胶、进行第一次光刻和第一次刻蚀步骤，刻蚀后在硬掩膜材料上形成沟槽，完成第一次图形的印制；在所述沟槽中填充可溶于显影液的填充材料；去除硬掩膜表面多余的填充材料；第二次涂布光刻胶，进行第二次光刻和第二次刻蚀步骤，形成第二次图形；清洗后在硬掩膜材料中得到双重曝光图形。