发明名称 | 提高量子效率的大功率发光二极管芯片 | ||
摘要 | 一种提高量子效率的大功率发光二极管芯片,主要包括:外延层、衬底,其特征在于所述外延层设置在衬底上,外延层设置为分离的微单元结构的阵列,外延层顶面可设置一导光层,导光层上设有微结构,或直接在外延层顶面设有微结构。本实用新型的优点是采用微单元结构的阵列提高了发光二极管的量子效率,增加发光二极管的散热效率,通过引入导光层上加工微结构,更加有效地提高了发光二极管的量子效率,使发光二极管照明光源更加节能。 | ||
申请公布号 | CN201149873Y | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
申请号 | CN200720076694.2 | 申请日期 | 2007.10.26 |
申请人 | 甘志银;刘胜 | 发明人 | 甘志银;刘胜;王恺;汪沛 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 李平 |
主权项 | 1.一种提高量子效率的大功率发光二极管芯片,主要包括:外延层、衬底,其特征在于所述外延层生长在衬底上,外延层刻蚀为微单元结构的阵列,外延层顶面沉积一导光层,导光层上制作有微结构,或直接在外延层顶面制作有微结构。 | ||
地址 | 201203上海市张江碧波路500号309室 |