| 发明名称 | 适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于氮化镓(GaN)器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)欧姆接触可能造成金属侧流和合金表面形貌粗糙的问题。针对铝镓氮/氮化镓异质结高电子迁移率器件(AlGaN/GaN HEMT)源/漏欧姆接触工艺中常规采用的Ti/Al/Ti/Au金属系，提出二次独立快速热退火技术方案，其中高温持续时间明显缩短，该技术使欧姆接触特性和合金表面形貌特征都有明显的改善，克服了常规的一次快速热退火技术存在的问题，也避免了两段台阶温度退火技术中长时间的温度处理对氮化镓材料可能造成的影响。本发明显著降低GaN HEMT器件制造的复杂度，提高器件可靠性，降低器件制造成本，为器件工艺实用化打下坚实的基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101303978A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200810150273.9 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 杨林安;郝跃;张进城;倪金玉 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;黎汉华 |
| 主权项 | 1.一种适用于氮化镓器件N型欧姆接触制作方法，在宽禁带半导体氮化镓异质结外延层表面依次进行金属蒸发、源/漏电极区剥离、快速热退火，在金属层与外延层的界面形成欧姆接触，其特征在于，热退火采用两次独立的高温快速热退火过程。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||