| 发明名称 | 包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构 | ||
| 摘要 | 一种存储单元包括定义了沟槽(108)的半导体衬底(102)，衬入沟槽的底电介质(110)，以及底电介质上的电荷存储层。电荷存储层(121)包括多个非连续存储元件(DSE)。控制栅极和顶电介质将DSE覆盖。存储单元包括沟槽下方的源极/漏极区域。DSE可以是硅纳米晶体并且控制栅极可以是多晶硅。控制栅极可以凹陷在半导体衬底的上表面以下并且DSE的最上部与控制栅极上表面垂直对准。存储单元可以包括氧化物间隙结构，其与邻近沟槽侧壁的硅纳米晶体横向对准并且从硅纳米晶体的最上部垂直延伸到衬底上表面。DSE包括至少两个可编程的注入区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101305452A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200680027205.2 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 高里尚卡尔·L·真达洛雷 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造方法，包括：在半导体衬底中形成沟槽；用底电介质对沟槽加衬；在底电介质上形成非连续存储元件(DSE)层并且在DSE层上形成顶电介质；在顶电介质上形成导电控制栅极；以及在沟槽下的衬底中形成源极/漏极区域。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||