发明名称 WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器的表面改性方法
摘要 WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器的表面改性方法,属于气敏传感器技术领域。在400~800℃的温度下保温2小时将钨酸分解;往WO<SUB>3</SUB>粉末中添加粘合剂,制得敏感材料浆料;将浆料印刷在被有叉指银电极和银电极引线的氧化铝基板上,在空气中保温烧结制备成WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器;将制得的WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器先在H<SUB>2</SUB>气氛中于保温,后在空气中保温,即制得改性后的WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器。本发明成本低廉,步骤简单,制备过程中的工艺参数容易控制,整个制备过程的能源消耗非常少,表面改性后的WO<SUB>3</SUB>厚膜气敏传感器可对待测环境中1~200ppm的CO实现高灵敏检测,且响应恢复时间短,具有重要的实际应用价值。
申请公布号 CN101303322A 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200810116301.5 申请日期 2008.07.08
申请人 清华大学 发明人 唐子龙;徐宇兴;张中太
分类号 G01N27/12(2006.01) 主分类号 G01N27/12(2006.01)
代理机构 北京市德恒律师事务所 代理人 马佑平
主权项 1、WO3厚膜气敏传感器的表面改性方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)在400~800℃的温度下保温2小时将钨酸分解制备WO3粉末;(2)往步骤(1)制得的WO3粉末中添加粘合剂,搅拌均匀后,即制得敏感材料浆料;所述粘合剂为乙基纤维素、松油醇及正硅酸乙酯;(3)采用丝网印刷的方法将上述(2)中的浆料印刷在被有叉指银电极和银电极引线的氧化铝基板上,在空气中经600~800℃保温1~2小时烧结后制备成WO3厚膜气敏传感器;(4)将步骤(3)中制得的WO3厚膜气敏传感器先在H2气氛中于600~800℃保温0.5小时进行还原处理,然后将其在500~700℃的空气中保温0.5小时进行氧化处理,即制得改性后的WO3厚膜气敏传感器。
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