在SOI材料上制造不同厚度的垂直绝缘的元件的方法

摘要

本发明涉及在一个SOI晶片(20)中产生不同厚度(d1，d2)的、垂直绝缘的有源半导体层(12，14)的方法，该晶片具有一个绝缘层(16)，在该绝缘层上在一个有源半导体材料层(22)中设置了具有第一厚度(d1)的第一有源半导体区(12)。该方法的特征在于：通过从一个沟结构(40)的至少一个晶种孔(54)出发的外延生长产生具有相对更小的厚度(d2)的第二有源半导体区(14)。通过氧化物层使第二半导体区(14)横向地及垂直地相对第一半导体区(12)完全地、介电地隔离。晶种孔(54)的宽度通过光刻来确定。

主权项

1.用于在一个SOI晶片(20)中产生不同厚度(d1，d2)的、垂直绝缘的有源半导体区(12，14)的方法，该晶片具有一个绝缘层(16)，在该绝缘层上的有源半导体材料层(22)中设置了具有一个第一厚度(d1)的第一有源半导体区(12)，其特征在于：通过以下步骤产生具有一个比第一厚度(d1)更小的第二厚度(d2)的第二有源半导体区(14)：用一个保护层(38)部分地或完全地覆盖该SOI晶片(20)；在被覆盖区域中产生一个沟结构(40)，该沟结构切穿该保护层(38)并延伸到该有源半导体材料层(22)的深度中；用一个氧化物层(42)覆盖该沟结构(40)；通过光刻-掩模步骤确定该沟结构(40)的一个部分区域(46)；通过各向异性蚀刻去除该被确定的部分区域(46)内的该氧化物层(42)在该沟结构(40)内部产生至少一个晶种孔(54)；通过用于该第二有源半导体区(14)的半导体材料(22’)从所述晶种孔(54)出发的选择性外延生长来填满该沟结构(40)；使形成的结构平面化及将其厚度减小到这样的程度，以使得该第二有源半导体区(14)不超出沟结构(40)的壁突出；通过另一光刻及掩模-蚀刻步骤重新打开晶种孔(54)及通过一个绝缘的中间层(58)封闭该被打开的晶种孔(54)，由此使该第二有源半导体区(14)横向地及垂直地相对第一有源半导体区(12)完全地、介电地隔离。