一种MEMS器件真空封装方法

摘要

本发明提供了一种利用低温共烧陶瓷基板对MEMS器件进行真空封装的方法：首先利用低温共烧陶瓷的多层电路结构、三维布线把电路中应用的各种无源元器件和传输线等完全掩埋在基板介质中；然后把MEMS器件粘接或焊接在基板上，并完成电气连接；最后将带有MEMS器件的低温共烧陶瓷基板整体直接作为封装外壳的管底，以传统的混合集成电路用金属封装外壳做管帽，结合传统的密封方法，如激光密封、焊环密封和金属管密封，获得对MEMS器件的真空封装。此方法工艺条件实现简单，成本低，便于批量加工，实现了对引线的真空密封，使漏偏率大大降低，增强真空保持性能，特别适用于面向射频/微波、惯性等应用的MEMS器件的真空封装。

主权项

1.一种MEMS器件真空封装方法，包括以下步骤：1)根据MEMS器件需要设计互连引出线结构和各种被动组件的位置；2)在低温共烧陶瓷每层生瓷材料上制作出过孔和空腔；3)在每层生瓷材料上印刷金属良导体材料作为布线和过孔填料，并将被动组件固定在预定位置；4)将多层生瓷材料精确叠层对位，在普通马福炉中400-500℃排胶后，放入真空设备内升温至800-900℃烧结成一体化的基板；5)将需要封装的MEMS器件固定在低温共烧陶瓷基板上，并与低温共烧陶瓷基板上的电路相连；6)以带有MEMS器件的低温共烧陶瓷基板整体作为封装外壳的管底，以金属封装外壳做管帽，进行真空密封。