| 发明名称 | 磁存储器以及写该磁存储器的方法 | ||
| 摘要 | 一种磁存储器包括：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将构成写入电流的电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个由经过自旋极化单元自旋极化并经过热电子生成单元转换成热电子的写入电流进行磁化方向倒转处理的磁层。 | ||
| 申请公布号 | CN100433181C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200410031295.5 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐藤利江;水岛公一 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器，包含：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将所述电子转换成热电子的热电子生成单元，该热电子生成单元包括绝缘薄膜和导电部分，所述导电部分在绝缘薄膜的厚度方向上穿透该绝缘薄膜；以及一个磁化方向被热电子倒转的磁层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||