| 发明名称 | 功率型发光二极管器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板上；在基板上分别封装多个发光二极管芯片，形成多组串联电路；多组串联电路依次连接电压补偿热敏电阻、光敏电阻、参数电阻；利用这种方法制作的器件可以显示其各个串联电路中发光二极管芯片相加的电压、电路对应补偿电阻数值，以及器件焊接完成后测量该串联电路的电压；而且器件具有串并联电路及其电压温度补偿特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100433282C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200610033793.2 | 申请日期 | 2006.02.23 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 郭志友;范广涵;孙慧卿 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L25/16(2006.01);G01R19/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种功率型发光二极管器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体有机金属气相技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板上；(2)在基板上分别封装多个发光二极管芯片，形成多组串联电路；(3)多组串联电路依次连接电压补偿热敏电阻、光敏电阻、参数电阻。 | ||
| 地址 | 510630广东省广州市天河区石牌 | ||