| 发明名称 | 制作低温多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及制作一低温多晶硅薄膜的方法，其包含于一基板上形成一非晶硅薄膜，接着于非晶硅薄膜上形成一隔绝层以及一激光吸收层，并且进行一光刻腐蚀工艺，去除部分的激光吸收层及隔绝层，以暴露出部分的非晶硅薄膜，最后再进行一激光结晶工艺，以使非晶硅薄膜转化成一多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100433242C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200410084917.0 | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 张志雄;陈亦伟;孙铭伟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/20(2006.01);B23K26/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制作低温多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板；形成一非晶硅薄膜于该基板上；形成一隔绝层及一激光吸收层于该非晶硅薄膜上；去除部分该激光吸收层及该隔绝层，以暴露出部分的该非晶硅薄膜，使得该非晶硅薄膜具有在保留的该激光吸收层和保留的该隔绝层之下的非暴露区、以及暴露区；以及进行一激光结晶工艺，以使该非晶硅薄膜转化成一多晶硅薄膜，其中横向结晶方向是从该非暴露区到该暴露区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||