具有三个电气隔离的电极的晶体管及形成方法

摘要

形成了一种晶体管(10)，其具有三个分离可控的栅极(44、42、18)。这三个栅极区域可进行不同的电气偏置，并且该栅极区域可以具有不同的传导属性。沟道侧壁上的介质可以不同于沟道上面的介质。选择性地实现针对源极、漏极和三个栅极的电接触。通过包括与晶体管沟道相邻的电荷存储层，诸如纳米团簇(143、144)，并且经由三个栅极区域控制该电荷存储层，使用相同的工艺实现了易失和非易失存储器单元，产生了通用的存储器工艺。在被实现作为易失单元时，晶体管的高度和沟道侧壁的介质的属性控制存储保持特性。在被实现作为非易失单元时，晶体管的宽度和上面的沟道介质的特性控制存储保持特性。

主权项

1.一种制造半导体器件(105)的方法，包括：形成沟道(113)，该沟道包括顶水平表面、第一垂直侧壁和同第一侧壁相对的第二垂直侧壁；形成第一栅极结构(153，图11)和第二栅极结构(155)，其中第一栅极结构(153)被安置为同第一侧壁侧向相邻且基本沿着第一侧壁，并且第二栅极结构被安置为同第二侧壁侧向相邻且基本沿着第二侧壁；形成第三栅极结构(123)，其安置在全部顶水平表面上且基本沿着全部顶水平表面，其中第一栅极结构(153)、第二栅极结构(155)和第三栅极结构(123)在物理上相互分离，其中形成第一栅极结构(153)和第二栅极结构(155)进一步包括：在第三栅极结构(123)和基板(107)上淀积栅极材料层(147)，并且移除第三栅极结构(123)上面的一部分栅极材料层(147)以形成第一栅极结构(153)和第二栅极结构(155)；以及在沟道和第一栅极结构(153)、第二栅极结构(155)、第三栅极结构(123)中至少一个栅极结构之间形成电荷存储层(143、118)。