| 发明名称 | 发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜发光二极管芯片，其中这样来调节反射层(4)和产生光的活性区(3)之间的距离，使得来自活性区(3)的辐射与由反射层(4)所反射的光进行干涉，其中，通过该干涉来影响活性区(3)的内部量子效率，并且由此实现活性区(3)的具有至少一个优选方向的辐射特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100433387C | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200580011289.6 | 申请日期 | 2005.04.14 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | S·巴德尔;W·施米德 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘春元;魏军 |
| 主权项 | 1.薄膜发光二极管芯片，其中，反射层(4)和产生光的活性区(3)之间的距离位于0.16λ到0.28λ之间，或者位于0.63λ到0.78λ之间，或者位于1.15λ到1.38λ之间，其中，λ是所述半导体本体中的光波长，以致从所述活性区(3)在所述薄膜发光二极管芯片的辐射输出耦合面的方向上发出的辐射与由所述反射层(4)所反射的辐射进行干涉，并且由此来影响所述活性区(3)的内部量子效率，使得实现所述活性区(3)的具有至少一个优选方向的辐射特性，以及其中，输出耦合层是半导电的。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||