发明名称 |
Ein Layout-Verfahren für eine Maske |
摘要 |
Ein Layout-Verfahren für eine Maske kann das Erstellen von Füllstruktur-Sperrgebieten und eines Typs mit einer einzelnen Füllstruktur für eine Schicht enthalten. Eine Zelle kann ausgebildet werden, in der eine erste Hauptstruktur ausgebildet ist. Eine zweite Hauptstruktur kann in einem Hauptchip-Layout ausgebildet werden, und die Zelle kann in den Hauptchip eingefügt werden. Ein Füllstruktur-Sperrgebiet kann auf der Basis der ersten Hauptstruktur und der zweiten Hauptstruktur erstellt werden. Dann kann ein Typ mit einer einzelnen Füllstruktur über das gesamte Hauptchip-Layout ausgebildet werden. Füllstrukturen, die mit dem Füllstruktur-Sperrgebiet interagieren, können entfernt werden. |
申请公布号 |
DE102007043097(A1) |
申请公布日期 |
2008.11.06 |
申请号 |
DE20071043097 |
申请日期 |
2007.09.10 |
申请人 |
DONGBU HITEK CO. LTD. |
发明人 |
LEE, SANG HEE;CHO, GAB HWAN |
分类号 |
H01L21/027;G03F1/68;G03F1/70;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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