Halbleiterstruktur mit einer elektrischen Verbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur umfasst ein Bereitstellen eines Substrats mit einer Schicht aus einem ersten Material. Über der Schicht aus dem ersten Material wird eine Schutzschicht ausgebildet. In der Schicht aus dem ersten Material und der Schutzschicht wird mindestens eine Öffnung ausgebildet. Über der Schicht aus dem ersten Material und der Schutzschicht wird eine Schicht aus einem zweiten Material ausgebildet, um die Öffnung mit dem zweiten Material zu füllen. Ein Planarisierungsprozess wird durchgeführt, um Teile der Schicht aus dem zweiten Material außerhalb der Öffnung zu entfernen. Zumindest ein Teil der Schutzschicht wird während des Planarisierungsprozesses nicht entfernt. Ein Ätzprozess wird durchgeführt, um die Teile der Schutzschicht, die während des Planarisierungsprozesses nicht entfernt wurden, zu entfernen.