LIGHT-EMITTING DIODE CHIP WITH A METAL REFLECTIVE LAYER, THROUGH CONTACT, TUNNEL CONTACT AND A CHARGE CARRIER CONTACT
摘要
<p>Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht (31) verbundene Spiegelschicht (5) auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht (4) angeordnet.</p>
申请公布号
WO2008089728(A3)
申请公布日期
2008.11.06
申请号
WO2008DE00081
申请日期
2008.01.17
申请人
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;SABATHIL, MATTHIAS;HOEPPEL, LUTZ;EICHLER, CHRISTOPH;ENGL, KARL;PETER, MATTHIAS;STRASSBURG, MARTIN
发明人
SABATHIL, MATTHIAS;HOEPPEL, LUTZ;EICHLER, CHRISTOPH;ENGL, KARL;PETER, MATTHIAS;STRASSBURG, MARTIN
