| 发明名称 |
Integrierter Leistungsschaltkreis mit verbessertem elektrischen und thermischen Durchgangswiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE10154658(B4) |
申请公布日期 |
2008.11.06 |
| 申请号 |
DE20011054658 |
申请日期 |
2001.11.07 |
| 申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
LERNER, RALF |
| 分类号 |
H01L27/085;H01L21/8232;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/085 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
