Verfahren zur Verringerung und Homogenisierung der Dicke einer Halbleiterschicht, die sich auf der Oberfläche eines elektrisch isolierenden Materials befindet

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Verringerung und Homogenisierung der Dicke einer Halbleiterschicht, die sich auf der Oberfläche eines elektrisch isolierenden Materials befindet, wobei ein Ätzmittel auf die Oberfläche der Halbleiterschicht einwirkt, dessen Redoxpotential in Abhängigkeit vom Material und der gewünschten Enddicke der Halbleiterschicht so eingestellt ist, dass der durch das Ätzmittel an der Oberfläche der Halbleiterschicht pro Zeiteinheit bewirkte Materialabtrag mit abnehmender Dicke der Halbleiterschicht geringer wird und bei der gewünschten Enddicke nur mehr 0 bis 10% der Dicke pro Sekunde beträgt, und wobei das Verfahren ohne Einwirkung von Licht oder Anlegen einer externen elektrischen Spannung durchgeführt wird.