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发明名称
Verfahren und Struktur zur Reduzierung des äusseren Widerstands eines dreidimensionalen Transistors durch Verwendung von Epitaxie-Schichten
摘要
申请公布号
DE112006003576(T5)
申请公布日期
2008.11.06
申请号
DE200611003576T
申请日期
2006.12.18
申请人
INTEL CORPORATION
发明人
DOYLE, BRIAN;BRASK, JUSTIN K.;MAJUMDAR, AMLAN;DATTA, SUMAN;KAVALIEROS, JACK;RADOSAVLJEVIC, MARKO;CHAU, ROBERT S.
分类号
H01L21/336;H01L29/786
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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