Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einer Kavität für die Integration von Bauteilen und Leiterplatte und Anwendung

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit zumindest einer Innenlage und zumindest einer Kavität in zumindest einer der beiden Oberflächen für die Aufnahme von zumindest einem ersten elektronischen Bauteil, wobei die Kavität nach oben durch ein aufgelötetes zweites Bauteil mindestens teilweise abgedeckt ist und wobei das erste Bauteil in der Kavität mit zumindest zwei elektrischen Kontakten mit korrespondierenden elektrischen Kontakten einer Innenlage der Leiterplatte verbunden wird, wobei diese elektrischen Kontakte durch ein nichtthermisches Kontaktierverfahren hergestellt werden.