发明名称 |
用于自刷新存储器单元的动态随机存取存储器设备及方法 |
摘要 |
本发明公开一种在自刷新模式和常规模式下运行的具有存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)。在自刷新模式的运行中,模式探测器提供自刷新模式信号。其包括用于产生与自刷新模式信号无关的振荡信号的自激振荡器。响应振荡信号,自请求控制器在自刷新模式中提供自刷新请求信号。自刷新信号和自刷新模式信号异步,并且被提供到地址电路,用来选择字线以刷新其中的存储器单元。自刷新请求控制器包括逻辑电路,用于在振荡信号和自刷新模式信号的启动激活边沿之间仲裁时序,并且在自刷新模式进入和退出时,提供自刷新请求和停止该请求,而无视自刷新模式信号和振荡信号的冲突。该DRAM设备在可变的DRAM单元保持时间内运行并获得可靠的自刷新。 |
申请公布号 |
CN101300641A |
申请公布日期 |
2008.11.05 |
申请号 |
CN200680040549.7 |
申请日期 |
2006.10.12 |
申请人 |
莫塞德技术公司 |
发明人 |
吴学俊 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
1、一种选择性地运行在自刷新模式和非自刷新模式的动态随机存取存储器(DRAM)设备,所述DRAM设备包括:探测电路,用于响应刷新模式选择而提供自刷新模式信号;振荡电路,用于响应DRAM功率指示信号而产生振荡信号;自刷新请求电路,用于响应所述自刷新模式信号和所述振荡信号而提供自刷新请求信号;和刷新地址电路,用于响应所述自刷新请求信号而提供要刷新的DRAM单元的刷新地址。 |
地址 |
加拿大安大略省 |