具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器

摘要

在数据读出之前被预充电到预充电电压(Vpr)的数据总线(DB)在数据读出时经过选择存储单元，与预充电电压相同的电压进行电耦合。驱动晶体管(62a)由于在数据读出时流过读出电流，把数据总线与电源电压(驱动电压)相耦合。电荷传输型放大单元(100)把数据总线的电压维持为预充电电压的同时，根据流过数据总线的读出电流(数据读出电流)的积分值生成输出电压(Vout)。传输门(130)、差分放大器(140)以及闩锁电路(145)根据规定时序中的输出电压，生成输出数据(DOUT)。

主权项

1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：具备：每一个都用于存储被外加磁场写入的数据的多个磁存储单元，其中，上述各个磁存储单元包括：根据存储的上述数据的电平，具有第1电阻值和比上述第1电阻值大的第2电阻值中的某一个的磁存储部分，和与上述磁存储部分串联连接并且在选择时导通的存储单元选择门；在数据读出时，与对应于被选出的磁存储单元的上述磁存储部分和导通的存储单元选择门进行电耦合的同时，被供给数据读出电流的第1数据线；具有上述第1和第2电阻值的中间电阻值的虚拟存储单元，其中，上述虚拟存储单元包括：具有上述第1电阻值的虚拟电阻部分，和与上述磁存储部分串联连接并且在选择时导通的虚拟存储单元选择门；在数据读出时，与上述虚拟电阻部分和导通的虚拟存储单元选择门进行电耦合的同时，被供给上述数据读出电流的第2数据线；以及根据上述第1和第2数据线的电压变化，生成读出数据的数据读出电路，其中，上述导通的虚拟存储单元选择门的电阻值大于作为上述导通的存储单元选择门的电阻值的第3电阻值，小于上述第2和第1电阻值的差值与上述第3电阻值之和。