发明名称 |
用于离子化物理气相淀积的磁增强电容性等离子体源 |
摘要 |
用于iPVD的电容性等离子体源(22)浸没在强的局部磁场(31)中,并可以用于装入即可式替换iPVD的电感耦合等离子体(ICP)源。该源包括环形电极(23),环形电极(23)具有位于其后面的磁体组(30),磁体组(30)包括与电极表面大致平行的表面磁体(33-35),其中,磁场在电极表面上径向延伸。诸如内侧和外侧环形圈磁体(分别是36和32)之类的侧面磁体具有极轴,极轴与电极相交,最靠近电极的磁极与表面磁体的邻近磁极具有相同极性。铁磁背板(37)或背部磁体(37a)使侧面磁体(32、36)的背部磁极互相连接。位于磁体组(30)后面的铁磁防护罩(37b)限制磁场(31)离开iPVD材料源(21)。 |
申请公布号 |
CN101300657A |
申请公布日期 |
2008.11.05 |
申请号 |
CN200580001514.8 |
申请日期 |
2005.01.20 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
米罗·沃克维克;德里克·安德鲁·拉塞尔 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01);H01J37/34(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王怡 |
主权项 |
1.一种在真空处理设备的室中产生高密度等离子体的方法,包括:提供环形磁体组,所述环形磁体组具有足够的强度和体积以产生延伸到处理室中的磁场;将电极嵌入所述处理室中的所述磁场中,使磁通大致平行于所述电极的表面;为所述电极供给射频能量以将所述能量电容耦合到所述室中,以由此产生高密度等离子体。 |
地址 |
日本东京都 |