半导体装置及该半导体装置的数据写入方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及该半导体装置的数据写入方法，可以防止一次写入的数据被改写。该半导体装置包括：具有分别具有难磁化轴和易磁化轴的多个MTJ元件(10)，二值数据中的一种数据被写入所有这些MTJ元件(10)中的存储部；以及以只把二值数据中的另一种数据只写入到MTJ元件10中的被选择的选择MTJ元件(10)中的方式流过写入电流(I1)的电路部(Tr1a、Tr1b)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：存储部，具备：分别具有难磁化轴和易磁化轴的多个磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件的上述难磁化轴方向延伸、电流只沿一个方向流动的第一写入布线；在上述磁阻效应元件的上述易磁化轴方向延伸的第二写入布线，在初始状态下第一数据被写入到所有上述多个磁阻效应元件中；以及电路部，向上述第一写入布线流过写入电流以便向上述多个磁阻效应元件中被选择的磁阻效应元件中写入第二数据。