| 发明名称 | 用于制造硅或其他晶体材料的带的装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种装置，该装置包括具有底部(2)和侧壁的坩埚(1)。坩埚(1)包括至少一个水平布置于侧壁(3)的底部的横向狭缝(4)。横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度，优选地介于100mm和500mm之间。狭缝(4)的宽度(H)介于50和1000微米之间。晶体材料通过横向狭缝(4)从该坩埚输出，以形成晶体带(R)。该方法包括将结晶化核与通过横向狭缝(4)输出的材料接触的步骤，以及带(R)的水平位移步骤(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN101300686A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200680040466.8 | 申请日期 | 2006.10.19 |
| 申请人 | 阿波朗·索拉尔公司;西伯斯塔公司 | 发明人 | 罗兰·艾因豪斯;弗朗索瓦·利萨尔德;休伯特·劳弗雷 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种通过受控结晶化制造晶体材料的带(R)的装置，其特征在于，所述装置包括具有底部(2)和侧壁(3)的坩埚(1)，所述坩埚(1)包括水平布置于所述侧壁(3)的底部的至少一个横向狭缝(4)，所述横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度(L)以及介于50和1000微米之间的高度(H)。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||