| 发明名称 | 具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括：配置在所述表面上的半导体区，其中，从半导体区的靠近衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区，并且该半导体区与该衬底隔离；配置在所述表面上的绝缘保护层和布线层；配置在所述衬底的远离所述半导体区的一侧的布线层；和通过所述衬底的通孔，所述通孔可使所述衬底的远离所述半导体区的一侧上的布线层与发射极区的电极接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100431166C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN03142566.6 | 申请日期 | 2003.06.10 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田上知纪;望月和浩;山田宏治 |
| 分类号 | H01L29/72(2006.01) | 主分类号 | H01L29/72(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种具有表面的半导体器件，所述半导体器件包括：配置在所述表面上的半导体区，其中，从半导体区的靠近衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区，并且该半导体区与该衬底隔离；配置在所述表面上的绝缘保护层和布线层；配置在所述衬底的远离所述半导体区的一侧的布线层；和通过所述衬底的通孔，所述通孔形成为使得所述衬底的远离所述半导体区的一侧上的布线层与所述发射极区的电极接触。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||