| 发明名称 | 硬磁相与软磁相合成磁体及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硬磁相与软磁相合成磁体及其制备方法，属于磁体材料及其制备技术领域。特点是：硬磁相弥散在软磁母相中，其特征是：软磁相的含量为5wt％－70wt％，其余为硬磁相，硬磁相的晶粒度为：1.5－10微米，软磁相的晶粒度为：10－100微米，微米晶粒硬磁相之间的距离为10－100纳米；微米晶粒软磁母相与弥散在其中的微米晶粒硬磁相发生交换耦合。本发明软磁相的含量可以接近50％，从而可把磁能积的理论值提得很高；硬磁弥散相被软磁母相包裹，从而使材料的抗氧化性能、机械性能得到改善，甚至有可能具有机械加工性。稀土含量较低，有利于降低磁体成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101299370A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200810008053.2 | 申请日期 | 2008.03.05 |
| 申请人 | 内蒙古科技大学 | 发明人 | 张雪峰;徐来自;牛焕忠;武晓霞 |
| 分类号 | H01F7/00(2006.01);H01F1/06(2006.01);H01F1/20(2006.01);H01F41/02(2006.01);B22F3/00(2006.01) | 主分类号 | H01F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 包头市专利事务所 | 代理人 | 庄英菊 |
| 主权项 | 1、硬磁相与软磁相合成磁体，由硬磁相、软磁相组成，硬磁相弥散在软磁母相中，其特征是：软磁相的含量为5wt％-70wt％，其余为硬磁相，硬磁相的晶粒度为：1.5-10微米，软磁相的晶粒度为：10-100微米，微米晶粒硬磁相之间的距离为10-100纳米；微米晶粒软磁母相与弥散在其中的微米晶粒硬磁相发生交换耦合。 | ||
| 地址 | 014010内蒙古自治区包头市昆区阿尔丁大街7号 | ||