发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体元件及其制造方法,该方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底内形成导孔,以可抛弃式材料例如非结晶的碳填充导孔,在衬底上形成覆盖导孔的介电层,进行背面蚀刻以暴露出导孔内的可抛弃式材料。沉积背面介电层覆盖暴露的导孔,然后形成小开口,并除去可抛弃式材料,这例如通过各向同性蚀刻工艺达成。可使用金属填充导孔并将其作为导体,或是以介电材料填充,此外,也可以不填充导孔而将其作为空气间隙。根据本发明,可较容易地以金属或介电材料填充导孔,且填充结果可靠,用于高深宽比导孔可得到较高元件密度;本发明可与现有工艺兼容且易于整合;本发明还可使内连线受到较低程度的RC延迟。 |
申请公布号 |
CN101299418A |
申请公布日期 |
2008.11.05 |
申请号 |
CN200710149603.8 |
申请日期 |
2007.09.05 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
余振华;邱文智;吴文进 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,包括以下步骤:提供衬底;在该衬底内形成导孔;以可抛弃式材料填充该导孔;在被填充的该导孔上方形成第一介电层;暴露出一部分的该可抛弃式材料;以及除去该可抛弃式材料。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |