| 发明名称 | 半导体光电子波导通路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面，为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波，设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2)，在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面，分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面，依次层叠p型层(15)与n型层(16)，在动作状态下使用的施加电压范围下，耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100430780C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200480028898.8 | 申请日期 | 2004.10.04 |
| 申请人 | NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社 | 发明人 | 石桥忠夫;安藤精后;都筑健 |
| 分类号 | G02F1/025(2006.01) | 主分类号 | G02F1/025(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种半导体光电子波导通路，其特征在于，具有nin型异质结构，可稳定地运行光调制器，该半导体光电子波导通路具备：第二半导体包覆层，配置在具有光电效应的半导体芯层的一个主面和另一主面的各个面上；pn结层，配置在层叠于所述半导体芯层的一个主面侧的所述第二半导体包覆层上，所述第二半导体包覆层侧是p型，与所述第二半导体包覆层相反侧是n型；和第三半导体包覆层，配置在所述pn结层上和层叠于所述半导体芯层的另一主面侧的所述第二半导体包覆层上，用作n型电极层，在所述半导体芯层的一个主面和另一主面的各个面上与所述第二半导体包覆层之间，配置有第一半导体包覆层，所述第一半导体包覆层的频带间隙比所述半导体芯层的频带间隙大，所述第二半导体包覆层和所述第三半导体包覆层的频带间隙分别比所述第一半导体包覆层的频带间隙大。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||