| 发明名称 | 用于磁性装置的磁性膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于2.45T的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为1-7％，而且该合金膜通过溅射法形成。本发明还提供了另一种磁性膜，该磁性膜含有交替层叠的铁磁性膜以及钯膜或含有钯的合金膜。该钯膜或含有钯的合金膜的厚度为0.05-0.28nm，而且所述层叠的膜通过溅射法或蒸镀法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100431006C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200410098212.4 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野间贤二;松冈正昭 |
| 分类号 | G11B5/31(2006.01);H01L43/00(2006.01);H01F41/14(2006.01) | 主分类号 | G11B5/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.一种用于磁性装置的磁性膜，该磁性膜包含交替层叠的铁磁性膜以及钯膜或含钯的合金膜，其中，所述钯膜或所述含钯的合金膜的厚度为0.05nm-0.28nm，而且所述层叠的膜由溅射法或蒸镀法形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||