发明名称 晶片加工方法
摘要 一种用于通过施加激光光束到预定区域而加工晶片的激光光束加工方法,包括如下步骤:在晶片将要进行加工的表面上形成吸收激光光束的树脂膜;通过树脂膜施加激光光束到晶片将要进行加工的表面上;以及在激光光束施加步骤之后去掉树脂膜。
申请公布号 CN100431107C 申请公布日期 2008.11.05
申请号 CN200410103865.7 申请日期 2004.11.18
申请人 株式会社迪斯科 发明人 源田悟史;吉川敏行;大庭龙吾;古田健次;北原信康
分类号 H01L21/301(2006.01);B23K26/00(2006.01);B23K26/18(2006.01) 主分类号 H01L21/301(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 邹光新;张志醒
主权项 1.一种用于通过施加激光光束到晶片的预定区域上来加工晶片的激光加工方法,该方法包括:树脂膜形成步骤,在晶片将要加工的表面上形成吸收激光光束的树脂膜;激光光束施加步骤,通过树脂膜施加激光光束到晶片将要加工的表面上;和树脂膜去掉步骤,在激光光束施加步骤之后去掉树脂膜,其中所述树脂膜是由水溶性光吸收树脂形成,该水溶性光吸收树脂是通过将光吸收剂和水溶性树脂进行混合而制成。
地址 日本东京都