| 发明名称 | 使用低温形成的阻挡金属层制作金属互连线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用在低温下形成的阻挡金属层来制作金属互连线的方法。该方法包括步骤：在衬底上形成内层绝缘层；蚀刻内层绝缘层的预定区域以形成多个接触开孔；在接触开孔和蚀刻的内层绝缘层上形成欧姆金属层；在欧姆金属层上形成籽晶层；反复多次在籽晶层上形成金属层并氮化该金属层以形成阻挡金属层；并通过埋入接触开孔在阻挡金属层上形成金属互连线。 | ||
| 申请公布号 | CN100431134C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200410104177.2 | 申请日期 | 2004.12.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴昌洙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体装置中的金属互连线的方法，包括：在衬底上形成一个内层绝缘层；蚀刻内层绝缘层的预定区域以形成多个接触开孔；在接触开孔和蚀刻的内层绝缘层上形成欧姆金属层；在欧姆金属层上形成籽晶层；实施在籽晶层上形成金属层并氮化该金属层的步骤，并且重复所述步骤以形成阻挡金属层；和通过埋入接触开孔在阻挡金属层上形成金属互连线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||