| 发明名称 | 包含在衬底上的至少一个单晶层的元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及生产包含单晶衬底的元件的方法，在所述衬底上沉积至少一个单晶层，该方法包括一个或几个通过在气体等离子体内部雾化金属或半导体而沉积单晶层的步骤，所述方法的特征在于原子沉积速率小于这些原子自身的均质化速率。 | ||
| 申请公布号 | CN101299409A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200710107141.3 | 申请日期 | 2007.04.30 |
| 申请人 | MHS工业 | 发明人 | 米歇尔·安西洛蒂;皮埃尔·托齐纳;弗雷德里克·莱纳特;奥利维耶·布里埃;奥利维耶·卡里奥;格拉尔德·加多 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.制造包含单晶衬底的元件的方法，在所述单晶衬底上沉积至少一个单晶层，所述方法的特征在于其包括一个或几个通过在气体等离子体内部雾化金属或半导体而沉积单晶层的步骤，和其特征在于所述原子沉积的速率小于所述原子自身的均质化速率。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||