发明名称 一种半导体泵浦短腔高功率激光器
摘要 本发明涉及一种激光器,尤其涉及一种关于半导体泵浦的短腔结构且高功率输出的激光器。本发明的半导体泵浦短腔高功率激光器,包括半导体泵浦激光器、耦合光学系统、激光增益介质片。其中:所述的耦合光学系统采用平平腔或平凹腔短腔结构,使泵浦光会聚成线状泵浦点,泵浦激光增益介质。本发明通过线状泵浦点扩大短腔激光增益介质受激体积和增大激光振荡体积,从而获得高功率输出。故,本发明解决了因晶体热效应,泵浦功率很难在高功率下泵浦的技术问题。
申请公布号 CN101299510A 申请公布日期 2008.11.05
申请号 CN200810071280.X 申请日期 2008.06.20
申请人 福州高意通讯有限公司 发明人 吴砺;凌吉武;卢秀爱;杨建阳;马英俊;彭永进;陈卫民
分类号 H01S3/0941(2006.01);G02B6/26(2006.01);H01S3/06(2006.01);H01S3/10(2006.01);H01S3/11(2006.01) 主分类号 H01S3/0941(2006.01)
代理机构 厦门市诚得知识产权代理事务所 代理人 方惠春;黄国强
主权项 1、一种半导体泵浦短腔高功率激光器,包括半导体泵浦激光器、耦合光学系统、激光增益介质片,其特征在于:所述的耦合光学系统采用平平腔或平凹腔短腔结构,使泵浦光会聚成线状泵浦点,泵浦激光增益介质。
地址 350000福建省福州市晋安区福兴大道39号